Здравствуйте, Эйнсток Файр, Вы писали:

ЭФ>предположительно
Ну, этой статье несколько часов, равно как и англопедической
Так что предполагаю, это копипаста препринта

ЭФ>the low-leakage NMOS has a drive current capability of around 1.4 mA with 14 fins
Штош, значит, стоит ждать соответствующих смартфонов