ASML рассказала о будущих технологиях полупроводникового производства
https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/52105-asml-rasskazala-o-budushchikh-tekhnologiyakh-poluprovodnikovogo-proizvodstva.html

Последней технологией тонкопленочных транзисторов FinFET будет 3 нм, затем планируется переход на нанолисты, forksheet, CFET и так называемые атомные каналы. Фигурирует и новая технология питания BPR (buried power rails), которая напоминает Intel PowerVias.

ASML планирует выпустить оборудование для перехода в эпоху ангстрема (<1 нм). Intel, например, станет первым покупателем систем EUV нового поколения (high-NA EUV).

кто нибудь по графикам может понять — насколько плотность чипов вырастет к 2030 году ? И будут ли расти эти параметры дальше ?

вот это график например, как понять ?

	Скрытый текст

написано — рост 3x эффективности вычислений на ватт для системы каждые два года (до 2040 года), в то время как в расчёте на транзистор — прирост минимальный .. как так ?

вот ещё любопытный график,

	Скрытый текст
	отсюда, Unleashing the Future of Innovation [22 стр] https://research.tsmc.com/assets/download/Chairman_2021_ISSCC.pdf

значит ли по нему что производительность на ватт — будет расти вплоть и до 2040 года, теми же темпами ?

ну и любопытное,

TSMC’s Chip Scaling Efforts Reach Crossroads at 2nm
https://www.eetasia.com/tsmcs-chip-scaling-efforts-reach-crossroads-at-2nm/

«Согласно оценкам, глобальное потребление электроэнергии из центров обработки данных, согласно прогнозам, вырастет в период с 2010 по 2030 год от пяти до сорока раз.