ASML рассказала о будущих технологиях полупроводникового производства
https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/52105-asml-rasskazala-o-budushchikh-tekhnologiyakh-poluprovodnikovogo-proizvodstva.html

Последней технологией тонкопленочных транзисторов FinFET будет 3 нм, затем планируется переход на нанолисты, forksheet, CFET и так называемые атомные каналы. Фигурирует и новая технология питания BPR (buried power rails), которая напоминает Intel PowerVias.

ASML планирует выпустить оборудование для перехода в эпоху ангстрема (<1 нм). Intel, например, станет первым покупателем систем EUV нового поколения (high-NA EUV).

кто нибудь по графикам может понять — насколько плотность чипов вырастет к 2030 году ? И будут ли расти эти параметры дальше ?

вот это график например, как понять ?

	Скрытый текст

написано — рост 3x эффективности вычислений на ватт для системы каждые два года (до 2040 года), в то время как в расчёте на транзистор — прирост минимальный .. как так ?

вот ещё любопытный график,

	Скрытый текст
	отсюда, Unleashing the Future of Innovation [22 стр] https://research.tsmc.com/assets/download/Chairman_2021_ISSCC.pdf

значит ли по нему что производительность на ватт — будет расти вплоть и до 2040 года, теми же темпами ?

ну и любопытное,

TSMC’s Chip Scaling Efforts Reach Crossroads at 2nm
https://www.eetasia.com/tsmcs-chip-scaling-efforts-reach-crossroads-at-2nm/

«Согласно оценкам, глобальное потребление электроэнергии из центров обработки данных, согласно прогнозам, вырастет в период с 2010 по 2030 год от пяти до сорока раз.

Здравствуйте, xma, Вы писали:

xma>(<1 нм).

Совсем уже заврались.

Здравствуйте, velkin, Вы писали:

xma>>(<1 нм).
V>Совсем уже заврались.

это технические названия — надо же как то обозначать дальнейшие улучшения техпроцессов после 2030 года ..

Здравствуйте, xma, Вы писали:

xma>вот это график например, как понять ?

Плотность немного подрастет, частота нет.

xma>написано — рост 3x эффективности вычислений на ватт для системы каждые два года (до 2040 года), в то время как в расчёте на транзистор — прирост минимальный .. как так ?

Это вопрос больше к маркетологам. По факту IPC в среднем подрастает раз в 2 года на 15-20%, следовательно эффективность на ватт тоже.

xma>TSMC’s Chip Scaling Efforts Reach Crossroads at 2nm
xma>https://www.eetasia.com/tsmcs-chip-scaling-efforts-reach-crossroads-at-2nm/

Это тоже к Тайваньским маркетологам, они уже давно непонятно чего и где меряют.

Здравствуйте, 4058, Вы писали:

xma>>вот это график например, как понять ?
4>Плотность немного подрастет, частота нет.

так тут непонятно — почему "System Energy Efficient Performance" растёт намного быстрее "Transistor Energy Efficient Performance" ?

как ты это объясняешь ?

ну и вопрос также в том какого прироста производительности ждать от (например) видях — через 10/20/30 лет ? будет ли он после 2030 года вообще или нет ?

и если будет, то за счёт чего ? (если транзисторная плотность и частота практически перестанут расти к 2030 году)

4>Это вопрос больше к маркетологам. По факту IPC в среднем подрастает раз в 2 года на 15-20%, следовательно эффективность на ватт тоже.

так IPC то растёт — в расчёте на одно ядро, а ядер всё больше становится — в той же площади и том же теплопакете ..

Здравствуйте, xma, Вы писали:

xma>Здравствуйте, 4058, Вы писали:

4>>Плотность немного подрастет, частота нет.

xma>так тут непонятно — почему "System Energy Efficient Performance" растёт намного быстрее "Transistor Energy Efficient Performance" ?

xma>как ты это объясняешь ?

Как ранее было сказано, за подобными объяснениями лучше обращаться к авторам, т.е. к маркетологам и журналюгам.

xma>ну и вопрос также в том какого прироста производительности ждать от (например) видях — через 10/20/30 лет ? будет ли он после 2030 года вообще или нет ?

Судя по графику его и сейчас особо нет, т.к. вся свистопляска вокруг энергоэффективности.

xma>и если будет, то за счёт чего ? (если транзисторная плотность и частота практически перестанут расти к 2030 году)

xma>так IPC то растёт — в расчёте на одно ядро, а ядер всё больше становится — в той же площади и том же теплопакете ..

"Вширь" (по кол-ву вычислителей) расти тоже перестанут, видимо основная идея, чтобы при схожих плотностях и частотах, но с совершенствованием форм литографии можно будет продолжить подтягивать энергоэффектиность.

Здравствуйте, xma, Вы писали:

xma>так тут непонятно — почему "System Energy Efficient Performance" растёт намного быстрее "Transistor Energy Efficient Performance" ?
xma>как ты это объясняешь ?

Энергию жрут не только (и не столько) транзисторы, сколько проводники и паразитные утечки.
Если сократить проводники за счет трехмерной компоновки например, то отжор энергии можно сильно уменьшить. Ну и с паразитными утечками что-то сделать, естественно.

Здравствуйте, velkin, Вы писали:

xma>>(<1 нм).
V>Совсем уже заврались.

Это про оборудование ASML. Они только "УФ лампочки" делают(по $200 млн. за штуку).

Здравствуйте, xma, Вы писали:

4>>Это вопрос больше к маркетологам. По факту IPC в среднем подрастает раз в 2 года на 15-20%, следовательно эффективность на ватт тоже.

По-моему, там меньше цифры... ну ладно.

xma>так IPC то растёт — в расчёте на одно ядро, а ядер всё больше становится — в той же площади и том же теплопакете ..

Ну вот в сумме наверно это и даёт улучшение?