Команда исследователей из Пекинского университета (Peking University) утверждает, что им удалось преодолеть технологические ограничения для наращивания производительности чипов относительно простыми средствами. Учёные буквально сменили направление в производстве транзисторов, отказавшись как от современных сканеров, так и от кремния.
...
В качестве материалов для транзисторного канала и затвора были использованы оксиды висмута: Bi₂O₂Se для канала и Bi₂SeO₅ для затвора. Благодаря своим свойствам эти материалы можно наносить на подложку атомарно тонкими и однородными слоями, что обеспечивает повторяемость процесса и стабильность характеристик транзисторов. Именно за это свойство транзистор на основе Bi₂O₂Se и Bi₂SeO₅ считается 2D-транзистором. Архитектурно он представляет собой полевой транзистор с круговым затвором (GAAFET). Разработчики описывают его структуру как «плетёный мост» вместо традиционных для FinFET «небоскрёбов»
...
Учёные заявляют, что их 2D-транзисторы работают на 40 % быстрее по сравнению с ультрасовременными 3-нм транзисторами TSMC и Intel, при этом потребление энергии снижено на 10 %. Они также разработали простую логическую схему на основе новых транзисторов и экспериментально подтвердили их впечатляющие рабочие характеристики.
4>Команда исследователей из Пекинского университета
А как у ихнего изделия с ломучестью?
Друга ищи не того, кто любезен с тобой, кто с тобой соглашается, а крепкого советника, кто полезного для тебя ищет и противится твоим необдуманным словам.
Здравствуйте, Osaka, Вы писали:
4>>Команда исследователей из Пекинского университета O>А как у ихнего изделия с ломучестью?
Если предположить, что изделие выберется за пределы исследовательской лаборатории на производственную линию того-же SMIC, то за качество особо переживать не стоит, другое дело, что обычно подобные истории заканчиваются ничем.
4>Если это не пустой наброс, то можно констатировать кому уж точно санкции пошли на пользу.
Вернулись в 1930е. ЕМНИП в то время все полупроводники были НЕ кремниевые. Кремний победил своей дешевизной во всем цикле производства. И да, кремниевые транзисторы медленные, но в тот момент с частотами единиц мегагерц это было не существенно, а позже уже слишком дорого существенно менять производственные технологии. Пошли "в лоб", путем удорожания постепенной модернизации.
У китайцев нашлись яйца силы построить с 0 полностью новую производственную цепочку.
Здравствуйте, 4058, Вы писали:
4>Если это не пустой наброс, то можно констатировать кому уж точно санкции пошли на пользу.
Да при чем тут санкции. Материалы для полупроводников постоянно новые пробуют, внедряют. Из свежего помню GaN
А что же до заголовка "Транзистор без кремния" — звучит обескураживающе, т.к. еще в древние времена советская промышленность массово производила не только транзисторы с маркировкой КТ/2Т, но и ГТ/1Т — при чем Германий в некоторых применениях весьма хорош, да и шустрее кремния. Просто дорогой и капризный.
Здравствуйте, viellsky, Вы писали:
V>Да при чем тут санкции. Материалы для полупроводников постоянно новые пробуют, внедряют. Из свежего помню GaN
Как это при чём, если в Китай сейчас запрещено продавать сканеры EUV и даже современные версии 193-нм DUV-сканеров.
V>А что же до заголовка "Транзистор без кремния" — звучит обескураживающе, т.к. еще в древние времена советская промышленность массово производила не только транзисторы с маркировкой КТ/2Т, но и ГТ/1Т — при чем Германий в некоторых применениях весьма хорош, да и шустрее кремния. Просто дорогой и капризный.
Нормально звучит, т.к. транзисторы используемые для производства коммерческих чипов в качестве п/п материала используют кремний. Форум вроде не радиотехнический, поэтому говоря транзистор обычно подразумевается элемент чипа.
Здравствуйте, Stanislaw K, Вы писали:
SK>У китайцев нашлись силы построить с 0 полностью новую производственную цепочку.
В том и дело, что вроде как не с нуля:
Исследователи утверждают, что для изготовления этих «принципиально новых» транзисторов подходит типичное оборудование, используемое в полупроводниковой промышленности. По крайней мере, чип был изготовлен на экспериментальной университетской линии, которая вряд ли оснащена передовыми технологиями.
Здравствуйте, 4058, Вы писали:
4>Если это не пустой наброс, то можно констатировать кому уж точно санкции пошли на пользу.
Так раньше же писали что можно на нано-вакуумных триодах делать процессоры. Причем откачивать воздух не нужно, т.к. если между анодом и катодом менее 10 нм (емнип) — то молекул воздуха там пролазиит не так уж много и никакой специальный вакуум не нужно создавать дополнительно как и нить накаливания не нужна.
Но почему то дальше абстрактных рассуждений — не продвигается
Здравствуйте, Shmj, Вы писали:
S>Так раньше же писали что можно на нано-вакуумных триодах делать процессоры. Причем откачивать воздух не нужно, т.к. если между анодом и катодом менее 10 нм (емнип) — то молекул воздуха там пролазиит не так уж много и никакой специальный вакуум не нужно создавать дополнительно как и нить накаливания не нужна.
Нить накаливания (для подогрева катода) была в электронных лампах.
Подогрев катода служил для обеспечения эмиссии (выпускания) электронов.
Как обойтись без подогрева катода, обеспечив при этом функционирование лампы?
Здравствуйте, AlexGin, Вы писали:
AG>Нить накаливания (для подогрева катода) была в электронных лампах. AG>Подогрев катода служил для обеспечения эмиссии (выпускания) электронов. AG>Как обойтись без подогрева катода, обеспечив при этом функционирование лампы?
Я не знаю деталей, возможно что это коммерческая тайна. Но как я понял — катод можно не подогревать на нано-размерах, эмиссия достигается без подогрева. И как я понял — катод от анода отличается только формой. К примеру, катод как чаша а анод как иголка. Но это мои догадки, естественно я никакого отношения к этой технологии не имею. Но в новостях писали и не раз.
Здравствуйте, 4058, Вы писали:
4>Если это не пустой наброс, то можно констатировать кому уж точно санкции пошли на пользу.
Это, наверное, не наброс. Но между успешным опытом в пробирке и станком, работающим на фабрике, пройдут годы труда. И при этом придётся решать массу непростых проблем, о самом существовании которых пока неизвестно.
Здравствуйте, 4058, Вы писали:
V>>Да при чем тут санкции. Материалы для полупроводников постоянно новые пробуют, внедряют. Из свежего помню GaN
4>Как это при чём, если в Китай сейчас запрещено продавать сканеры EUV и даже современные версии 193-нм DUV-сканеров.
Я не понимаю, почему эту штуку называют сканером, если она на самом деле — принтер.
4>>Как это при чём, если в Китай сейчас запрещено продавать сканеры EUV и даже современные версии 193-нм DUV-сканеров.
Pzz>Я не понимаю, почему эту штуку называют сканером, если она на самом деле — принтер.
Потому что она, через маску, последовательно сканирует лучом площадь кристалла, как развертка в цветном кинескопе?
Pzz>Я не понимаю, почему эту штуку называют сканером, если она на самом деле — принтер.
Современные литографические установки могут использовать не шаговый, а сканирующий режим работы; они называются «сканнеры» (step-and-scan[2]). Они при экспонировании передвигаются в противоположных направлениях и пластина и маска, скорость сканирования масок до 2000 мм/с, пластины — до 500 мм/с[3]. Луч света имеет форму линии или сильно вытянутого прямоугольника (например использовались лучи с сечением 9×26 мм для экспонирования полей размером 33×26 мм).
